金融界2024年12月5日音讯，国家知识产权局信息数据显现，长春长光圆辰微电子技术有限公司请求一项名为“根据BSI工艺的晶圆反面减薄办法”的专利，揭露号CN 119069497 A，请求日期为2024年11月。

  专利摘要显现，本发明揭露一种根据BSI工艺的晶圆反面减薄办法，归于半导体制作技术领域，包含以下过程：（1）供给待减薄的晶圆；（2）选用减薄工艺对所述晶圆进行减薄至方针厚度；（3）在减薄后的晶圆标明发生氧化层并进行化学机械平整化处理；（4）在平整化的晶圆减薄面铺设硅烯层后进行退火处理；本发明在现有的减薄工艺办法基础上，将减薄至方针厚度的晶圆反面进行外表氧化和平整化处理再铺设硅烯层进行退火以进步完结晶圆反面减薄工艺的晶圆反面的平整度。